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    • MBL1000E33E-B日立IGBT模塊MBN1500E33C

      日立IGBT模塊MBN1500E33C

      日立IGBT模塊MBN1500E33C 北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件 3300V IGBT模塊MBN1500E33C

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    • MBL1000E33E-B日立IGBT模塊MBN800E33D-P

      日立IGBT模塊MBN800E33D-P

      日立IGBT模塊MBN800E33D-P 北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件 3300V IGBT模塊MBN800E33D-P

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    • MBL1000E33E-B日立IGBT模塊MBL400E33D

      日立IGBT模塊MBL400E33D

      日立IGBT模塊MBL400E33D 北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件 3300V IGBT英飛凌MBL400E33D

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    • MBN1200D25B供應日立IGBT模塊41A296305ECP2

      供應日立IGBT模塊41A296305ECP2

      供應日立IGBT模塊41A296305ECP2 北京京誠宏泰科技 ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT,雙/橋臂式IGBT,斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開(kāi)關(guān)低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點(diǎn)。

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    • MBN1200E17D日立IGBT模塊MBN1200E17D

      日立IGBT模塊MBN1200E17D

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • A50L-0001-0303/LFanuc發(fā)那科IGBT模塊A50L-0001-0303/L

      Fanuc發(fā)那科IGBT模塊A50L-0001-0303/L

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