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    • 900GXHGZ41東芝二極管IGBT模塊

      東芝二極管IGBT模塊

      東芝二極管IGBT模塊900GXHGZ41;鐵路機車(chē)IGBT模塊,TOSHIBA東芝高壓二極管IGBT模塊900GXHGZ41;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售900GXHGZ41

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    • MG900GXH1US53東芝IGBT模塊MG900GXH1US53

      東芝IGBT模塊MG900GXH1US53

      東芝IGBT模塊MG900GXH1US53;TOSHIBA東芝高壓IGBT模塊MG900GXH1US53;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售MG900GXH1US53

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    • MG75Q2YS50TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

      TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • MG200Q2YS40TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40

      TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • MG600Q1US41東芝IGBT模塊

      東芝IGBT模塊

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • MG50Q2YS40東芝IGBT模塊MG50Q2YS40

      東芝IGBT模塊MG50Q2YS40

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

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