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    • 2MBI600VN-120-50富士IGBT模塊2MBI600VN-120-50

      富士IGBT模塊2MBI600VN-120-50

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      富士IGBT模塊6MBI450V-170-50

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      富士IGBT模塊6MBI300V-120-50

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      富士IGBT模塊6MBI225V-120-50

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      富士IGBT模塊7MBR100SB060

      富士IGBT模塊7MBR100SB060,北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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      富士IGBT功率模塊7MBR50SB060

      富士IGBT功率模塊7MBR50SB060,北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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      富士IGBT功率模塊7BMR20SC060

      富士IGBT功率模塊7BMR20SC060,北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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      富士IGBT集成模塊7MBR25SA120

      富士IGBT集成模塊7MBR25SA120;富士變頻器IGBT模塊;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售7MBR25SA120;富士7單元IGBT模塊7MBR25SA120

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      FUJI富士IGBT模塊7MBR50SD120

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      FUJI富士IGBT模塊7MBR50HU120

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      FUJI富士IGBT模塊7MBR150VN120-50

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