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    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    型    號: MBL1000E33E2-B
    報    價(jià): 9999
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    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B
    北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
    3300V IGBT模塊MBL1000E33E-B

    詳細資料:

    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊;半導體功率模塊;變頻器配件

    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    產(chǎn)品參數:

    IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊,具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開(kāi)關(guān)損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應用的解決方案

    3300V IGBT模塊型號:

    MBN1200D33A

    MBN1200H45E2-H

    MBN1500E33E3

    MBN1200E25E

    MBL800E33C

    MBL400E33D

    MBL1000E33E-B

    MBL1000E33E2-B

    MBN800E33D-P

    MBN1200E33C 

    MBN1500E33C

    MBN1200D33C

    MBN1000GR12A

    MBN1200E17D

    MBN1200E33D

    MBN1200E33E

    MBN1500E33E

    MBN1800D17C

    MBN800E33D

    MBN800E33E

    MDM1200H45E2-H

    MBN1200H45E2-H

    MDM800E33D

    MBN750H65E2

    MDM750H65E2



    FZ1000R33HL3_S2
    FZ1500R33HL3_S2
    FF200R33KF2C
    FZ400R33KF2C
    FZ800R33KF2C
    FZ1200R33KF2C
    IGBT模塊FZ1000R33HL3
    IGBT模塊FZ1000R33HE3
    IGBT模塊FZ1200R33HE3
    IGBT模塊FZ1500R33HE3
    IGBT模塊FZ1500R33HL3
    IGBT模塊FZ1600R33HE4
    IGBT模塊FZ1400R33HE4
    IGBT模塊FZ2400R33HE4
    IGBT模塊FF450R33T3E3
    IGBT模塊FZ825R33HE4D



    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B


    如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj?


    ChatGPT是這樣說(shuō)的:


    要計算IGBT器件的工作結溫Tvj,需要考慮以下幾個(gè)因素:

    1

    IGBT芯片的功率損耗。這個(gè)值可以通過(guò)IGBT芯片廠(chǎng)家提供的datasheet中查到。通常來(lái)說(shuō),功率損耗越大,工作結溫就越高。

    2

    IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會(huì )影響散熱效率。一般來(lái)說(shuō),背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。

    3

    外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會(huì )影響工作結溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會(huì )影響散熱效果。


    如果考慮了以上因素后,可以使用以下公式計算IGBT器件的工作結溫Tvj

    Tvj = Ta + Pd*Rthjc


    其中, Ta是環(huán)境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結合部的熱阻。


    需要注意的是,這個(gè)公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒(méi)有考慮整個(gè)系統的散熱能力。因此,在實(shí)際應用中,還需要結合具體的系統情況來(lái)確定IGBT器件的工作結溫


    特征描述

    • 高直流電壓穩定性

    • 高短路能力

    • 自限制短路電流

    • 低開(kāi)關(guān)損耗

    • 出色的堅固性

    • Tvj op = 150°C

    • 低 VCEsat,具有正溫度系數

    • 鋁碳化硅基板,用于提高熱循環(huán)能力

    • 封裝的 CTI > 600

    • 絕緣基板



    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    產(chǎn)品規格:

    IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止

    配置:半橋

    電壓 - 集射極擊穿:1700 V

    電流 - 集電極 (Ic):2400 A

    電流 - 集電極截止:100 µA

    不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

    輸入:標準

    NTC 熱敏電阻:無(wú)

    工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

    安裝類(lèi)型:底座安裝

    封裝/外殼:模塊

    供應商器件封裝:AG-62MM

    產(chǎn)品特征:

    高功率密度

    的 VCE,SAT

    Tvj op = 175°C 過(guò)載

    高爬電距離和電氣間隙

    符合 RoHS 標準

    4 kV AC 1 分鐘絕緣

    CTI > 400 的封裝

    通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

    TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

    改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝

    225、750和900A,1700V半橋模塊

    的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

    在過(guò)載情況下工作結溫可達到175°C

    壓接式控制引腳

    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    優(yōu)勢:

    具有高電流能力的現有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

    高功率密度

    避免 IGBT 模塊并聯(lián)

    通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統降低系統成本

    靈活性

    高的可靠性

    產(chǎn)品應用領(lǐng)域:

    不間斷電源(UPS)

    儲能系統

    電機控制和驅動(dòng)

    商用、建筑和農用車(chē)輛 (CAV)

    變頻器

    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

    銷(xiāo)售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷(xiāo)德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

    SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

    Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;

    英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊;日本富士(FUJI)、

    日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國B(niǎo)USSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

    Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

    紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國B(niǎo)HC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無(wú)感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅動(dòng)板,電源板,通信板,接口板

    操作面板

    日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    IGBT是什么?

    IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

    IGBT與MOSFET的對比

    MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

    優(yōu)點(diǎn):熱穩定性好、安全工作區大。

    缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應日立IGBT模塊MBL1000E33E-B

    IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

    特點(diǎn):擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

    IGBT的典型應用

    電動(dòng)機

    不間斷電源

    太陽(yáng)能面板安裝

    電焊機

    電源轉換器與反相器

    電感充電器

    電磁爐


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